Sustancias químicas solares de la limpieza ultrasónica del grado, agente de desengrase del silicio

Sustancias químicas solares de la limpieza ultrasónica del grado, agente de desengrase del silicio

Introducción de las sustancias químicas de la limpieza ultrasónica

Uno de los desafíos más grandes hechos frente en la industria fabril del semiconductor es la contaminación superficial de las obleas de silicio. Lo más comúnmente posible, las obleas de silicio se contaminan simplemente de la exposición al aire, que contiene un alto nivel de contaminantes orgánicos de la partícula. Estos contaminantes enlazan fuertemente a la oblea de silicio la superficie debido a una fuerza electrostática fuerte, creando mucho dolor de cabeza para ésos en la industria fabril del semiconductor.

Para funcionar correctamente, las obleas de silicio deben estar totalmente libres de cualquier contaminante. La eliminación de estos contaminantes no es la más simple de tareas, sin embargo, pues las obleas de silicio son muy frágiles. Por este motivo, los negocios de fabricación del semiconductor deben adherirse a un plan de limpieza cuidadosamente formulado que se asegure que las superficies de la oblea estén vueltas a un estado limpio mientras que mantengan el riesgo mínimo de daño.

Característica de las sustancias químicas de la limpieza ultrasónica

productos de 1 solos grupo con PPR perfecto (ratio del precio del funcionamiento)

2 espuma baja, ningún desbordamiento de la espuma en la limpieza ultrasónica.

3. buen funcionamiento de desengrase para cumplir el requisito del área de las TIC de la alto-exactitud.

Parámetro técnico de las sustancias químicas de la limpieza ultrasónica

Instrucciones de las sustancias químicas de la limpieza ultrasónica

1) ponga el agua pura en el tanque de la limpieza hasta de tres cuartos, después, añada el agente en la concentración del 3%, añada el agua hasta el nivel de funcionamiento, último, caliente la solución del baño hasta temperatura de trabajo.

2)necesite cambiar la solución del baño totalmente después de cantidad determinada de desengrase de la rebanada de silicio.

3) reduzca la hora expuesta en aire de evitar la oxidación.

4)grado de trabajo de la temperatura 50-65, tiempo de la disposición: 2-5minutes.

Sobre los E.E.U.U.

La acción de tecnología de Changzhou Junhe Co., Ltd. es una empresa de alta tecnología dedicada a desarrollar las sustancias químicas finas industriales, equipo especial y mantiene el proveedor de la solución que fue fundado en Changzhou, Jiangsu en 1998.

La capa de la protección contra la corrosión del microlayer de la escama del cinc es una de nuestros productos de la base, de nuestro drenaje de la compañía en la experiencia y de la lección de la tecnología de la capa del dacromet de Japón y de los E.E.U.U., invirtiendo millones en el R&D, después de 20 años de uso y difusión, protección contra la corrosión del microlayer de la escama del cinc de Junhe que cubre ya convertido de la marca principal en China.

Nuestra compañía tiene base industrial tres: base química de la producción, base de la producción de equipo, base de proceso de trabajos de capa.